產(chǎn)品分類
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簡要描述：晶體方位測量設(shè)備用途單晶硅/晶圓的結(jié)晶方位測量，支持Si、藍(lán)寶石、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC等化合物。側(cè)角機(jī)構(gòu)可以高精度地測定單結(jié)晶錠和晶片的結(jié)晶方位、外觀和外形。
產(chǎn)品型號(hào)：SU-003廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-02-20訪 問 量：352晶體方位測量設(shè)備的特點(diǎn)：
1.實(shí)現(xiàn)角度測量的高精度化
根據(jù)獨(dú)自的測角系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高再現(xiàn)性和線性。
2.長期穩(wěn)定性能
機(jī)構(gòu)部具有很高的剛性和耐久性，能夠長期維持穩(wěn)定的性能。
3.采用X射線檔案峰值檢測功能
根據(jù)統(tǒng)計(jì)處理技術(shù)，采用X射線檔案峰值檢測方式，可獲得高精度穩(wěn)定的角度測量性能。
4.高速、高精度測量
不僅有4方位測量功能，還有2方位測量功能，測量時(shí)間只需要4方位測量的1/2。(不包括SU-001)
方位測量是用球面幾何學(xué)精確求解結(jié)晶方位的X,Y傾斜度。為此以和4方位測定相同的精度求出。
5.X射線劑量測定系統(tǒng)
X射線量測定系統(tǒng)通過脈沖海分析儀降低散射等誤差原因，篩選出Cu的特性X射線，可進(jìn)行高精度的測定。
6.采用高靈敏度檢測器(可支持偏移角大的結(jié)晶)
檢測器對(duì)應(yīng)檢測的X射線(Cu的K α)具有高靈敏度。另外，由于是氣體檢測器，所以對(duì)X射線的入射位置和方向的檢測靈敏度的變動(dòng)很小，對(duì)于結(jié)晶面的傾斜角的變化可以進(jìn)行穩(wěn)定的測量。
晶體方位測量設(shè)備的參數(shù)：
| 型式 | 対象 | 測定項(xiàng)目 | 用途 |
|---|---|---|---|
| SU-001 | インゴット | Vノッチ（オリフラ面）方位 | Vノッチ加工用円筒研削機(jī)に本裝置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。 ?測定精度：±5′ ?対象ワークサイズ：2～18インチ |
| SU-002 | インゴット | カット面方位（軸方位） | ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。 ?測定精度：±30″ ?対象ワークサイズ：2～18インチ |
| SU-003 | ウェハ | Vノッチ（オリフラ面）方位 | カット面方位（軸方位）?ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結(jié)晶面との傾きを測定し、基準(zhǔn)値と比較して良否判定をします。 ?測定精度：±30″（カット面) ?対象ワークサイズ：2～18インチ |
| SU-005 | インゴット | Vノッチ（オリフラ面）方位、外観、形狀、重量 | Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形狀?深さ?結(jié)晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削殘、直徑、重量を測定します。 測定精度：±5′ |
| SU-021 | インゴット | Vノッチ（オリフラ面）方位 | カット面方位（軸方位）ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結(jié)晶方位を同時(shí)に測定します。（側(cè)面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869號(hào)） ?測定精度：±5′（カット面） ±3′（Ｖノッチ方位） |
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